Оперативная память компьютера это некое хранилище данных во время его работы. Она является временным хранилищем, так как информация, сохраняется только, пока есть питание.

В настоящее время известны несколько видов оперативной памяти:

- постоянное запоминающее устройство - ROM (Read Only Memory);

- динамическое запоминающее устройство с произвольным порядком выборки - DRAM (Dynamic Random Access Memory);

- статическая оперативная память - SRAM (Static RAM).

Мы рассмотрим DRAM, в которых для хранения одного бита используется один транзистор и два конденсатора. Поэтому для хранения 256 Mb используется 256 000 000 транзисторов. Однако, если питание на мгновение исчезнет вся информация будет безвозвратно утрачена.

Быстродействие оперативной памяти и ее эффективность измеряется в наносекундах (1 секунда равна 1 000 000 000 наносекунд).

В целях ускорения доступа ко всем данным в пределах памяти DRAM разбивается на страницы. Эта называется Fast Page Mode (быстрый постраничный режим). Также существует метод ускорения памяти FPM (расслоение). В 1995 году FPM был усовершенствован и получил наименование- EDO (Extended Data Out).

В свою очередь EDO был улучшен и получил название Burst EDO или BEDO DRAM (Burst Extended Data Out Dynamic Random Access Memory), скорость передачи данных которого стала выше.

В настоящее время BEDO заменил новый тип памяти SDRAM (Synchronous DRAM), высокая скорость работы которого была достигнута путем синхронизации сигналов памяти с тактовым генератором системной платы. Кроме того, что эффективность SDRAM очевидно выше, чем EDO или BEDO, этот тип памяти может работать на частоте 100 МГц и выше.

Но и на этом усовершенствование оперативной памяти не остановилось. Совсем недавно появился новый тип памяти - RDRAM (Rambus DRAM), обладающий увеличенной до 1.6 Гб/сек пропускной способностью и рабочей частотой до 800 МГц.

Самым современным типом оперативной памяти является - DDR SDRAM (Double Data Rate), удвоение скорости передачи данных достигается за счет передачи данных - два раза за один цикл. Первый раз - в начале цикла, второй - в конце.

Необходимо отметить, что не были затронуты темы о таких видах памяти, как SRAM, ROM. Поэтому, как говориться, «продолжение следует»!